IPD60R3K4CE دیتاشیت

IPD60R3K4CE

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD60R3K4CE
حجم فایل 74.253 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

دانلود دیتاشیت IPD60R3K4CE

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPS60R3K4CE
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: TO-251
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه